我國創(chuàng)“多重鰭高電晶體” 晶片多塞2千萬顆還更省電

　　國研院研發(fā)出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」。

　　奈米元件實(shí)驗(yàn)室表示，「鰭式場效電晶體」(FinFET) 因?yàn)樾螤钣腥玺~鰭而得名，除了體積小較為省電，還可擴(kuò)充晶片上可容納的電子元件密度，并讓不同大小的電流「各住適合的房型」，達(dá)到晶片空間利用的最佳化，藉此提升運(yùn)作效能。

　　國研院指出，半導(dǎo)體積體電路的製造，可說是一場尺寸微縮與效能提升的競賽，半導(dǎo)體元件最先進(jìn)的製程技術(shù)，約可在1平方公分的硅晶片上，容納約1億顆電晶體;「鰭式場效電晶體」技術(shù)一旦推出，不只讓設(shè)計(jì)更具彈性，還可在同樣面積增加約2千萬顆電晶體，等于節(jié)省了兩成的製作成本。

　　國研院還說，此技術(shù)已經(jīng)申請專利，且自12月起，將為國內(nèi)學(xué)術(shù)界開放製作平臺，方便其研發(fā)各種元件雛型與製程技術(shù)，讓學(xué)術(shù)前瞻研究與產(chǎn)業(yè)接軌;預(yù)估在5年內(nèi)，就能協(xié)助業(yè)界量產(chǎn)「多重鰭高的鰭式場效電晶體」